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2024年12月2日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（Bureau of Industry and Security, BIS）公布《臨時(shí)最終規(guī)則:增加外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則，對(duì)先進(jìn)計(jì)算和半導(dǎo)體制造物項(xiàng)管控的優(yōu)化》（《臨時(shí)最終規(guī)則》），對(duì)美國(guó)《出口管理?xiàng)l例》（Export Administration Regulations, EAR）進(jìn)行了修訂。本次《臨時(shí)最終規(guī)則》的修訂通過(guò)新增對(duì)24種半導(dǎo)體制造設(shè)備和3種用于開發(fā)或生產(chǎn)半導(dǎo)體的軟件工具的管制、對(duì)高帶寬內(nèi)存（high bandwidth memory, HBM）的管控、新增兩項(xiàng)外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則，以及增列140個(gè)實(shí)體至實(shí)體清單等，旨在減緩中國(guó)先進(jìn)人工智能的發(fā)展和試圖遏制中國(guó)對(duì)本土半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。本次《臨時(shí)最終規(guī)則》的多數(shù)規(guī)則（包括對(duì)于新的外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則的合規(guī)要求）于12月31日生效。關(guān)于實(shí)體清單的增列、紅旗行為更新以及有關(guān)軟件密鑰的管控措施于12月2日生效。

本次《臨時(shí)最終規(guī)則》預(yù)計(jì)將成為拜登政府為限制向中國(guó)銷售先進(jìn)芯片和芯片設(shè)備而采取的最后重大舉措之一，是即2022年10月開始大幅修改針對(duì)中國(guó)的先進(jìn)芯片出口管制規(guī)則，并于2023年10月和2024年4月更新后的又一次較為系統(tǒng)的、有針對(duì)性的遏制中國(guó)先進(jìn)制程半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的管控。美國(guó)商務(wù)部部長(zhǎng)雷蒙多表示，拜登政府領(lǐng)導(dǎo)下的商務(wù)部“在使用出口管制措施方面是最積極的”，她相信他們?yōu)榧磳⑸先蔚奶乩势照粝铝艘环菟{(lán)圖，供其制定自己的半導(dǎo)體相關(guān)國(guó)家安全控制方法。“我們讓BIS比以往任何時(shí)候都更強(qiáng)大、更具戰(zhàn)略性、更有效，”新規(guī)則“為下一屆政府奠定了基礎(chǔ)，以繼續(xù)保持維護(hù)美國(guó)技術(shù)安全和領(lǐng)導(dǎo)地位所需的重要助力”。

相較于第一屆特朗普政府主要為交易型、以事件驅(qū)動(dòng)、以公司為中心的出口管制措施的應(yīng)用，如針對(duì)華為和中芯國(guó)際等實(shí)體的實(shí)體清單增列，拜登政府制定了“小院高墻”戰(zhàn)略，旨在精確定位和限制中國(guó)獲取對(duì)中國(guó)軍事和監(jiān)視能力最有利的特定技術(shù)。即將上任的特朗普政府在第二任期可能會(huì)選擇比拜登政府更為靈活的方式實(shí)施出口管制措施，但是也不排除會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大拜登政府的“小院高墻”這一戰(zhàn)略，并繼續(xù)試圖說(shuō)服盟友和合作伙伴也采取同樣措施。

中國(guó)政府也針對(duì)本次美國(guó)出口管制措施域外效力的進(jìn)一步擴(kuò)大迅速作出反擊。2024年12月3日中國(guó)商務(wù)部發(fā)布2024年第46號(hào)《關(guān)于加強(qiáng)相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國(guó)出口管制的公告》（《公告》）。本次的措施加強(qiáng)了2023年8月采取的礦產(chǎn)出口貿(mào)易管制措施，并且僅適用于美國(guó)市場(chǎng)。

小文針對(duì)本次《臨時(shí)最終規(guī)則》的重大修改以及中國(guó)政府的反制措施，作如下淺析。

一、新增對(duì)HBM的出口管制

由于HBM作為一種高級(jí)存儲(chǔ)器，對(duì)大規(guī)模人工智能訓(xùn)練和推理起到關(guān)鍵作用，并且也是先進(jìn)計(jì)算集成電路的關(guān)鍵組成部分，因此BIS在本次《臨時(shí)最終規(guī)則》中修訂《商業(yè)管制清單》（Commercial Control List, CCL）：在ECCN3A090.c中，針對(duì)具有特定內(nèi)存帶寬密度（memory bandwidth density）的HBM堆棧（stacks）新增基于“區(qū)域穩(wěn)定”理由適用的許可證管控措施，即，出口到EAR第740部分1號(hào)補(bǔ)編D:5國(guó)家組（包括中國(guó)）與澳門適用許可證措施。另外，HBM也適用新的“半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備（Semiconductor Manufacturing Equipment, SME）”外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則，即，非美國(guó)生產(chǎn)的列入ECCN 3A090.c的HBM如符合EAR§734.9(h)高級(jí)計(jì)算外國(guó)直接產(chǎn)品（Foreign Direct Product）規(guī)則規(guī)定的范圍，則也將受到EAR的許可證要求。

根據(jù)新增的技術(shù)注釋的定義，“內(nèi)存帶寬密度”是指，封裝（package）或堆棧的內(nèi)存帶寬（以GB/秒為單位）除以封裝或堆棧的面積（以平方毫米為單位）。當(dāng)堆棧包含在封裝中時(shí)，應(yīng)使用封裝設(shè)備的內(nèi)存帶寬和面積對(duì)物項(xiàng)進(jìn)行計(jì)算。《臨時(shí)最終規(guī)則》設(shè)定的管控閾值為內(nèi)存帶寬密度每秒每平方毫米2GB（GB/s/mm^2），參數(shù)大于該閾值的HBM將受到管控。BIS指出，目前所有正在生產(chǎn)的HBM堆棧均超過(guò)這一閾值。并且，HBM還包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器集成電路（dynamic random access memory integrated circuits），無(wú)論其是否符合HBM的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)，Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱JEDEC，JEDEC制定并發(fā)布HBM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)）。只要?jiǎng)討B(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器集成電路的參數(shù)超過(guò)上述閾值，就適用ECCN3A090.c的管控。

ECCN3A090.c主要針對(duì)作為獨(dú)立商品出口、再出口或進(jìn)行國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的HBM，并且 ECCN3A090.c包括永久固定在“被設(shè)計(jì)為控制接口并集成了物理層（physical layer, PHY）功能的邏輯集成電路”上的HBM。但是，ECCN3A090.c的管控范圍不包括共同封裝（co-packaged）的且主要功能為具有處理（processing）性能的共同封裝集成電路，即使共同封裝的集成電路同時(shí)具備HBM和邏輯功能。如果HBM被集成到集成電路或更高級(jí)別的商品（例如計(jì)算機(jī)或電子組件）中，則ECCN3A090.a、.b、4A090.a或.b或相應(yīng)的.z管制可能會(huì)對(duì)含有HBM的物項(xiàng)實(shí)施管制。

另外，對(duì)于ECCN3A090.c被納入另一種商品的情形，還有一項(xiàng)特殊規(guī)定：如果該商品不屬于一般命令第4號(hào)(d)(2)(i)段規(guī)定的產(chǎn)品范圍（除本次新增的ECCN3A090.c之外，原產(chǎn)品范圍包括ECCN3A001.z、3A090.a、3A090.b等），則該商品將被一般命令第4號(hào)授權(quán)在任何目的地使用；如果該商品屬于(d)(2)(i)段規(guī)定的產(chǎn)品范圍，則這些物品的最終的使用，需要發(fā)生在國(guó)家組D:1、D:4或D:5（不包括國(guó)家組A:5或A:6）中所列目的地以外的目的地，并且由總部或其最終母公司總部不在澳門或國(guó)家組D:5中所列目的地的實(shí)體使用，才能適用授權(quán)。上述ECCN3A090.c相關(guān)的一般命令授權(quán)有效期截止2026年12月31日。

《臨時(shí)最終規(guī)則》在EAR§740.25中新增許可證例外HBM。但該許可證例外僅適用于總部設(shè)在美國(guó)或國(guó)家組A:5所列目的地的出口商、再出口商和轉(zhuǎn)移商，并且其最終母公司的總部不能在澳門或國(guó)家組D:5所列目的地。同時(shí)，為滿足新增的許可證例外HBM，除了符合上述前提條件，出口、再出口和（國(guó)內(nèi)）轉(zhuǎn)移還面臨如下限制：（a）HBM的內(nèi)存帶寬密度需小于3.3GB/s/mm^2；（b）出口、再出口或轉(zhuǎn)移至澳門或國(guó)家組D:5所列目的地的3A090.c物項(xiàng)，必須由共同封裝的設(shè)計(jì)者直接購(gòu)買；（c）為防止轉(zhuǎn)用，3A090.c物項(xiàng)必須被直接運(yùn)送到封裝站點(diǎn)（packaging sites），對(duì)于總部在不同國(guó)家和地區(qū)的封裝站點(diǎn)，可能適用對(duì)物項(xiàng)流轉(zhuǎn)、文件保存和技術(shù)閾值的進(jìn)一步要求。

二、新增兩項(xiàng)外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則

（1）腳注5實(shí)體清單實(shí)體的外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則

《臨時(shí)最終規(guī)則》對(duì)實(shí)體清單上被指定為腳注5的實(shí)體實(shí)施一項(xiàng)新的外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則。腳注5實(shí)體被增列的原因主要涉及國(guó)家安全或外交政策問(wèn)題，例如通過(guò)生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路參與支持中國(guó)的軍事現(xiàn)代化。具體而言，如果出口商、再出口商或轉(zhuǎn)移商“知悉”（包括有理由知悉）：（a）這些外國(guó)生產(chǎn)的有關(guān)物項(xiàng)將被納入由腳注5實(shí)體生產(chǎn)、購(gòu)買或訂購(gòu)的任何“部件”、“組件”或“設(shè)備”中，或（b）任何腳注5實(shí)體是涉及這些外國(guó)生產(chǎn)的商品的交易的一方，則需要獲得許可證。

該項(xiàng)外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則所管控的商品與半導(dǎo)體生產(chǎn)和相關(guān)活動(dòng)有關(guān)。所適用的外國(guó)直接產(chǎn)品的美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)與軟件的范圍為：（a）以下技術(shù)或軟件的直接產(chǎn)品：ECCN3D001（針對(duì)3B商品）、3D901、3D991（針對(duì)3B991和3B992）、3D993、3D994、3E001（針對(duì)3B商品）、3E901（針對(duì)3B903）、3E991（針對(duì)3B991和3B992）、3E993或3E994；（b）由位于美國(guó)境外的完整設(shè)備或設(shè)備的“主要部件”生產(chǎn)，且該完整設(shè)備或“主要部件”無(wú)論是在美國(guó)還是在外國(guó)制造，其本身屬于以下美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)或軟件的直接產(chǎn)品：ECCN3D001（針對(duì)3B商品）、3D901、3D991（針對(duì)3B991和3B992）、3D992、3D993、3D994、3E001（針對(duì)3B商品）、3E901（針對(duì)3B903）、3E991（針對(duì)3B991和3B992）、3E992、3E993或3E994；（c）包含由位于美國(guó)境外的完整設(shè)備或設(shè)備的“主要部件”生產(chǎn)的直接產(chǎn)品，完整設(shè)備或設(shè)備的“主要部件”的范圍同（b）項(xiàng)。且，外國(guó)生產(chǎn)的直接產(chǎn)品為如下物項(xiàng)：3B001(3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, g, h, k to n, p.2, p.4, r除外)、3B002(3B002.c除外)、3B903、3B991(3B991.b.2.a至3B991.b.2.b除外)、3B992、3B993或3B994。

（2）半導(dǎo)體制造設(shè)備（SME）外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則

《臨時(shí)最終規(guī)則》規(guī)定，如果“知悉”涉及國(guó)家安全的某些外國(guó)生產(chǎn)的商品將運(yùn)往澳門或D:5國(guó)家組所列目的地，則可能適用SME外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則。外國(guó)生產(chǎn)的商品屬于以下其中一項(xiàng)：（a）為3D992或3E992規(guī)定的技術(shù)或軟件的直接產(chǎn)品；（b）外國(guó)生產(chǎn)的商品由位于美國(guó)境外的完整設(shè)備或設(shè)備的“主要部件”生產(chǎn)，且該完整設(shè)備或“主要部件”無(wú)論是在美國(guó)還是在外國(guó)制造，其本身屬于以下美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)或軟件的直接產(chǎn)品：ECCN3D001（針對(duì)3B商品）、3D901、3D991（針對(duì)3B991和3B992）、3D992、3D993、3D994、3E001（針對(duì)3B商品）、3E901（針對(duì)3B903）、3E991（針對(duì)3B991或3B992）、3E992、3E993或3E994；（c）包含由位于美國(guó)境外的完整設(shè)備或設(shè)備的“主要部件”生產(chǎn)的直接產(chǎn)品，完整設(shè)備或設(shè)備的“主要部件”的范圍同（b）項(xiàng)。且，外國(guó)生產(chǎn)的直接產(chǎn)品為如下物項(xiàng)：ECCN3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k至n、p.2、p.4、r或3B002.c的外國(guó)生產(chǎn)的商品。

三、《商業(yè)管控清單》的修訂

除上述新增的ECCN3A090.c對(duì)HBM的管控之外，《臨時(shí)最終規(guī)則》對(duì)CCL作出了其他多項(xiàng)修訂，共新增了6項(xiàng)新的ECCN編碼。有關(guān)修訂主要對(duì)以下物項(xiàng)實(shí)施新的管制：生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路所需的半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括某些蝕刻、沉積、光刻、離子注入、退火、計(jì)量和檢測(cè)以及清潔工具；以及開發(fā)或生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路的軟件工具，包括某些可提高先進(jìn)機(jī)器生產(chǎn)率或允許較低端的機(jī)器生產(chǎn)先進(jìn)芯片的軟件。具體而言，該等新增的ECCN編碼所管控的物項(xiàng)，目前基于反恐（AT）、區(qū)域穩(wěn)定（RS）或國(guó)家安全（NS）原因進(jìn)行管制，根據(jù)不同管制原因和具體ECCN，出口、再出口或（國(guó)內(nèi)）轉(zhuǎn)移至EAR第738部分1號(hào)補(bǔ)編反恐表1（AT Column 1）所列目的地、澳門或D:5國(guó)家組目的地、或某些情況下出口相關(guān)物項(xiàng)至全世界，適用出口管制的許可證要求。

具體修訂內(nèi)容如下表所示。

美國(guó)針對(duì)芯片制造設(shè)備的出口管制規(guī)則修訂：為即將上任的特朗普政府提供保護(hù)美國(guó)科技安全與領(lǐng)導(dǎo)力的“助力”-1.jpg

四、新增紅旗警示

紅旗（Red Flags）行為，是指出口目的地可能是不當(dāng)最終用途、最終用戶或目的地的交易。《臨時(shí)最終規(guī)則》在EAR第732部分3號(hào)補(bǔ)編“BIS了解您的客戶（know your customer）指南及紅旗”一章新增8個(gè)紅旗行為，以協(xié)助各方及時(shí)識(shí)別風(fēng)險(xiǎn)。目前，BIS一共列舉了27個(gè)紅旗行為，包括本次新增的8個(gè)紅旗行為，共13個(gè)紅旗行為針對(duì)中國(guó)出口先進(jìn)芯片以及有關(guān)設(shè)備的管制。本次新增的紅旗行為如下：（1）非先進(jìn)制造工廠訂購(gòu)專為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路生產(chǎn)而設(shè)計(jì)的設(shè)備（例如，EAR§742.4(a)(4)所列ECCN），而以該工廠技術(shù)水平，并不需要這些設(shè)備；（2）出口商、再出口商或轉(zhuǎn)移商收到的訂單的最終所有者或用戶不確定；（3）出口商、再出口商或轉(zhuǎn)移商收到與某項(xiàng)物項(xiàng)相關(guān)的訂單或請(qǐng)求，該物項(xiàng)需要相關(guān)許可證，而該物項(xiàng)的許可證歷史存在不確定性（例如許可證審查政策為推定拒絕）；（4）出口商、再出口商或轉(zhuǎn)移商收到請(qǐng)求，要求對(duì)某件在出口、再出口或轉(zhuǎn)移后被第三方改裝的物項(xiàng)提供服務(wù)、安裝、升級(jí)或其他維護(hù)，而相關(guān)改裝情況使該物項(xiàng)可被用于更高級(jí)的最終用途，且在相關(guān)目的地使用通常需要申請(qǐng)?jiān)S可；（5）出口商、再出口商或轉(zhuǎn)移商收到新客戶的商品或服務(wù)請(qǐng)求，該新客戶的高級(jí)管理層或技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)為實(shí)體清單實(shí)體；（6）出口商、再出口商或轉(zhuǎn)移商收到新客戶提出的請(qǐng)求，要求提供為現(xiàn)有或以前的客戶設(shè)計(jì)或修改的商品或服務(wù)，而該客戶現(xiàn)已被列入實(shí)體名單；（7）在分析腳注5和SME外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則的范圍時(shí)，如果外國(guó)生產(chǎn)的物項(xiàng)符合EAR§734.9(e)(3)(i)或§734.9(k)(1)中的相關(guān)3B類ECCN中的描述，并且包含至少一個(gè)集成電路，則可能表明該外國(guó)生產(chǎn)的物項(xiàng)符合適用外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則的產(chǎn)品范圍；以及，（8）最終用戶是與生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路的設(shè)施物理連接（例如通過(guò)橋梁、隧道與另一棟建筑物相連）的設(shè)施。

五、新增實(shí)體清單實(shí)體

在發(fā)布本次《臨時(shí)最終規(guī)則》對(duì)EAR進(jìn)行修訂的同時(shí)，BIS同步于實(shí)體名單中增加了140個(gè)實(shí)體，其中136個(gè)為中國(guó)企業(yè)。本次BIS增列的實(shí)體中，大多數(shù)中國(guó)實(shí)體因協(xié)助開發(fā)或生產(chǎn)用于軍事最終用途的集成電路被增列，其獲得所有受EAR管轄的物項(xiàng)都必須取得許可證，并適用推定拒絕的許可證申請(qǐng)審查政策。對(duì)于某些涉及支持在實(shí)體清單所列實(shí)體的設(shè)施生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路、開發(fā)用于軍事最終用途的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路等活動(dòng)的實(shí)體，BIS將其指定為腳注5實(shí)體，它們將額外適用如上所述腳注5外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則的有關(guān)限制。具體而言，本次被增列的實(shí)體涉及：

● 三家涉及參與投資半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資機(jī)構(gòu)：BIS將其增列實(shí)體清單的理由為，這三家投資機(jī)構(gòu)參與協(xié)助中國(guó)政府收購(gòu)具有敏感半導(dǎo)體制造能力的實(shí)體，并計(jì)劃將被收購(gòu)實(shí)體遷移至中國(guó)，以協(xié)助實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)的本土化。而這些被收購(gòu)的實(shí)體對(duì)美國(guó)及其盟友的國(guó)防工業(yè)基礎(chǔ)至關(guān)重要。

● 七家微電子公司、集成電路設(shè)備公司以及軟件和信息技術(shù)公司：與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造設(shè)施共同開發(fā)光刻技術(shù)以生產(chǎn)用于軍事最終用途的芯片。

● 四家半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備公司：有可能將原產(chǎn)于美國(guó)的物項(xiàng)轉(zhuǎn)移給實(shí)體清單上的各方，包括在中國(guó)軍事現(xiàn)代化中發(fā)揮重要作用的實(shí)體。

對(duì)于以下實(shí)體，BIS將其指定為腳注5實(shí)體：

● 一家半導(dǎo)體制造公司：有很大風(fēng)險(xiǎn)將參與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路開發(fā)或生產(chǎn)。

● 十家集成電路、半導(dǎo)體科技公司、設(shè)備制造商：可能協(xié)助華為實(shí)現(xiàn)其自主生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路的目標(biāo)，以支持其軍事現(xiàn)代化。

● 兩家集成電路技術(shù)公司：已經(jīng)獲取或試圖獲取美國(guó)的工具或部件，可能支持在實(shí)體名單實(shí)體的設(shè)施生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路。

● 兩家集成電路創(chuàng)新、技術(shù)型機(jī)構(gòu)：協(xié)助開發(fā)或生產(chǎn)軍事用途的集成電路，并參與開發(fā)或生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路的活動(dòng)。

● 一家微電子研究所：支持中國(guó)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路和軍事現(xiàn)代化努力，包括為軍事最終用途開發(fā)或生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路以及與實(shí)體名單上的各方合作。

另外，BIS還對(duì)此前已經(jīng)被增列實(shí)體清單的7家集成電路制造相關(guān)的公司新增腳注5，以進(jìn)一步限制其獲取支持先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路生產(chǎn)的相關(guān)物項(xiàng)。

六、中國(guó)政府的反制措施

2024年12月3日，在美國(guó)商務(wù)部發(fā)布《臨時(shí)最終規(guī)則》修訂EAR以加強(qiáng)半導(dǎo)體相關(guān)管制一天后，中國(guó)商務(wù)部迅速作出反擊，發(fā)布2024年第46號(hào)《公告》。《公告》宣布：（1）禁止對(duì)美國(guó)軍事用戶或軍事用途出口兩用物項(xiàng)；（2）原則上不予許可鎵、鍺、銻、超硬材料相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國(guó)出口；（3）對(duì)石墨兩用物項(xiàng)對(duì)美國(guó)出口，實(shí)施更嚴(yán)格的最終用戶和最終用途審查。

本次的措施加強(qiáng)了2023年8月采取的礦產(chǎn)出口貿(mào)易管制措施，并且僅適用于美國(guó)市場(chǎng)。2023年7月時(shí)，中國(guó)商務(wù)部曾發(fā)布海關(guān)總署公告2023年第23號(hào)《關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告》，對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，未經(jīng)許可不予出口。本次中國(guó)商務(wù)部所限制和禁止出口的上述物項(xiàng)具有包括軍事用途在內(nèi)的廣泛用途。

中國(guó)是全球最大的鎵和鍺來(lái)源國(guó)，鎵和鍺可用于半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品，并且鍺還可用于紅外技術(shù)、光纖電纜和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。銻可用于制造子彈和其他武器，而石墨是電動(dòng)汽車電池的重要構(gòu)成材料。根據(jù)美國(guó)地質(zhì)調(diào)查局于2024年11月發(fā)布的報(bào)告，2023年中國(guó)對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施的限制措施導(dǎo)致的進(jìn)口量減少，對(duì)美國(guó)市場(chǎng)所造成的經(jīng)濟(jì)損失主要集中于半導(dǎo)體設(shè)備制造業(yè)，約占凈損失的40%以上。如果全面禁止出口，鎵價(jià)格可能會(huì)上漲150%以上，鍺價(jià)格可能會(huì)上漲26%。根據(jù)路透社12月4日的最新報(bào)道，對(duì)于中國(guó)商務(wù)部的行動(dòng)，白宮發(fā)言人表示，美國(guó)正在評(píng)估新的限制措施，并將采取“必要措施”予以應(yīng)對(duì)，但沒(méi)有透露進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。

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YUAN, Shuaiqi

Export Control and Sanctions，Customs Practice

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